Semitronix推出精确的前端电容测试方案
Semitronix推出精确的前端电容测试方案——Addressable QVCM电容测试技术，其测量前端电容的精度可以达到1fF，同时能够精确测试并绘制多个电容测试项的C-V曲线。该技术完善了Semitronix集成电路工艺成套监测方案的生态布局，使Semitronix Addressable技术能够满足IC工艺制造中的全部监控需求，是Semitronix创新发展历程中的一个重要里程碑。
行业痛点：
电容是集成电路中的关键器件，同时寄生电容对芯片性能(功耗与速度) 具有决定性的影响。目前行业内通常采用的LCR meter电容测试方法，其精度在几十飞法（fF）以上，无法满足晶体管级的电容测试；CBCM方法虽然可以精确地测量后端电容，但是因为前端存在各种leakage（如gate leakage…）而使CBCM方法无法精确测量前端电容。
技术简介：
Semitronix针对前端电容的精确测试这一难点投入大量的时间与资源，首次将QVCM电容测试方法与可寻址测试芯片技术有机结合，所研发出的Addressable QVCM电容测试技术克服了传统CBCM不能消除电荷注入和前端漏电效应的影响，解决了当前电容测试芯片占用面积过大、电容测试技术精度不足、寄生电容大、不同偏置电压下前端电容不能测试、一个DUT仅能测试一个电容项等技术瓶颈，其测试精度能够达到1fF，同时能够测量多个电容测试项的C-V曲线。
技术指标：
• 对于＜100fF的电容实现电容测试精度达到1fF/＜1%；
• 精确绘制出不同偏置电压下的C-V曲线；
• 实现Cgg/Cgb/Cgsd@VB三个测试项在同一测试电路中覆盖；
• 平均每个DUT仅占用0.25个Pad。
目前Addressable QVCM电容测试解决方案已经在多个国内外知名半导体企业成功实现了产业化应用。客户可以选择性地结合Semitronix的其他电性测试方案，使测试出的测试结果能够有针对性地反映芯片存在的各方面问题，依据这些问题，工程师可以对设计或工艺环境做出相应的改进，对于芯片良品率和性能提升具有非常重要的现实意义。
